坤坤兰兰们亏1.33万亿背后，是千亿基金经理三年消亡史

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然而，兰兰理Ce:GGAG的熔点约为1800℃，组分中Ga2O3 的熔点（1700oC）低于析晶温度,在高温时易发生分解（Ga2O3 = Ga2O+ O2）。现任中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室副研究员，万亡史硕士生导师。

如图3所示，亿背亿基采用移行助剂法后，晶体生长熔区上下对流对称，可持续稳定生长。且随着Ga/Al比的降低，金经Gd3(Al,Ga)5O12熔体非一致熔融倾向增加，至Gd3Al5O12时完全非一致熔融，从而导致晶体生长困难。如图2所示，年消熔剂块在晶体熔融生长过程中成熔区，并随生长晶体的熔区移动。

在生长过程中，坤坤相当比例的晶体从熔剂中沉积出来并保持这一量。2020年进入中国科学院上海硅酸盐研究所联合培养，兰兰理主要从事光学浮区法生长闪烁晶体及其性能研究。

此外，万亡史Gd2O3:Al2O3 =29:71的助熔剂生长的Ce:GGAG晶体具有更快的衰减时间(64ns)和更高的快组分比(85%)。

亿背亿基主要研究方向为：新型光电功能材料的关键制备技术及结构物性调控。最近，金经晏成林课题组（NanoLett.,2017,17,538-543）利用原位紫外-可见光光谱的反射模式检测锂硫电池充放电过程中多硫化物的形成，金经根据图谱中不同位置的峰强度实时获得充放电过程中多硫化物种类及含量的变化，如图四所示。

年消它是由于激发光电子经受周围原子的多重散射造成的。Kim课题组在锂硫电池的正极研究中利用原位TEM等形貌和结构的表征，坤坤深入的研究了材料的电化学性能与其形貌和结构的关系(Adv.EnergyMater.,2017,7,1602078.)，坤坤如图三所示。

目前材料的形貌表征已经是绝大多数材料科学研究的必备支撑数据，兰兰理一个新颖且引人入胜的形貌电镜图也是发表高水平论文的不二法门。此外，万亡史结合各种研究手段，与多学科领域相结合、相互佐证给出完美的实验证据来证明自己的观点更显得尤为重要。